Samsung a por el “Trono de Silicio”

Tras el reciente anuncio de que hizo la compañía coreana de que tenía listo su tecnología para el proceso litográfico FinFET a 5 nm y que estaría en producción en su mega factoría de Hwaseong hoy conocemos que el gigante de los semiconductores ya ultima su nueva litografía a 3nm GAAFET (Gate-All-Around Field Effect Transistor) para entrar en producción en 2021.

La competencia entre TSMC y Samsung es enorme y esta dando lugar a una evolución vertiginosa en la carrera por exprimir hasta el último átomo en la fabricación de semiconductores.Este nuevo proceso de fabricación a 3nm es más que interesante porque además introduce un cambio en el diseño FinFET que se ha venido usando hasta ahora por un proceso denominado GAA (Gate-All-Around) que aparentemente ofrece mejoras a esas escalas tan ínfimas.

(megafactoría de Hwaseong aún en construcción)

Gran salto por parte de Samsung que actualmente ya tiene nodos basados en 7, 6, 5, 4 y ahora 3 nanómetros el cual llegará al mercado aproximadamente en 2021 una hoja de ruta muy agresiva. Por otro lado tenemos a TSMC su gran competidor y fabricante más importante del mercado en la actualidad con una cuota de mercado del 50%, el cual está produciendo a pleno rendimiento nodos de 7nm en la actualidad los cuales podremos probar nosotros los usuarios dentro muy poco, pues en apenas 2 semanas tenemos la presentación de AMD de Zen 2 con los Ryzen 3000 a 7 nanómetros y poco tiempo después seguramente durante el E3 de este verano se presentara las gráfica Navi también a 7 nanómetros de TSMC, por lo que la competencia esta reñida.

Sin duda una buena noticia para los consumidores que antes o después disfrutaremos de procesadores más potentes gracias entre otra cosa a estas nuevas técnicas que permitirán integrar más y más transistores en nuestros procesadores, así como llegar a mayores frecuencias y nuevas cotas de rendimiento.