Transistores de 2,5 nm con precisión atómica
Cuando todos daban por muerta y enterrada a la Ley de Moore, incluido el propio Moore, aparecen 2 noticias que atisban alguna esperanza para el futuro, por un lado IBM como ya comentamos estaba en vías de desarrollo de una nueva tecnología que permitiría por medio del grafeno y un exótico sistema bajar por debajo de 5 nm una muralla que a día de hoy es infranqueable, al menos a nivel de producción masiva.
Es ahora cuando aparece una noticia muy relacionada con la de IBM y es que en este caso ha sido el MIT quien anda en desarrollo de lo que puede ser el futuro de la fabricación de los transistores si llega a buen puerto, nada menos que 2,5nm superando incluso el límite máximo que había conseguido IBM hace apenas unas semanas.
Los investigadores del MIT modificaron una técnica de grabado químico llamada grabado a nivel atómico térmico (termal ALE), que les ha permitido alcanzar un nivel de precisión de los materiales semiconductores a nivel atómico. Otro de los puntos de esta nueva técnica es que reutiliza herramientas que ya existen y son bien conocidas por la industria, lo que permitiría una rápida asimilación e integración de la misma. Otra ventaja de esta técnica es que limita la exposición del material a defectos causados por el oxígeno que hacen que los transistores sean menos eficientes, según los investigadores se consigue un rendimiento cerca de un 60 % mejor que los FinFET tradicionales (casi nada).
A medida que la Ley de Moore continúa reduciendo el tamaño de los transistores, es más difícil fabricar tales dispositivos a nano escala, para diseñar transistores más pequeños, se tiene que llegar a manipular los materiales con precisión atómica, algo que parece de ciencia ficción.
De poder llevar esta fantástica técnica a una producción masiva, permitiría una nueva vuelta de tuerca a la fabricación de componentes electrónicos en general y de procesadores en particular, que permitiría llegar a nuevas cotas de rendimiento, así como una mayor eficiencia energética.